机译:自热对SiGe HBT微波性能的影响
Department of Electrical and Computer Engineering and Computer Science, University of Cincinnati, Cincinnati, OH 45221-0030, USA;
heterojunction bipolar transistor; microwave power bipolar transistor; SiGe HBT; self-heating;
机译:噪声传播时间和自热对Si / SiGe:C和InP / InGaAs HBT微波噪声影响的实验和模型研究
机译:SiGe HBT中自热效应建模的实用方法
机译:实际工作条件下,BEOL对SiGe多指HBT中自热和热耦合的影响
机译:深沟槽隔离对SiGeC HBT的自热和RF性能的影响
机译:使用SiGe HBT BICMOS技术的高性能内存系统
机译:缓解SiGe-HBT电流模式逻辑电路中的单事件效应
机译:质子和X射线照射对厚膜SOI互补(NPN + PNP)SiGE HBT的DC和AC性能的影响