机译:纳米级FinFET模拟:使用NEGf的准3D量子力学模型
Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China;
FinFET; ballistic; NEGF; 3-D simulation; quantum effects; ultra-thin channel;
机译:包含量子力学效应的纳米级FinFET光电探测器3-D数值模拟的WKB插值-小波方法
机译:纳米级n型FinFET的量子力学效应和栅极泄漏电流:二维仿真研究
机译:纳米级DG FinFET的量子力学分析建模:电势,阈值电压和源/漏电阻的评估
机译:新型纳米级DG-MOSFET的全量子力学模拟:2D NegF方法
机译:使用量子力学-分子力学模拟和弹性网络模型对膜蛋白进行建模研究。
机译:从头开始的量子力学方法与经典Drude振荡器极化模型的接口用于化学反应的分子动力学模拟
机译:基于NegF的量子传输模型和纳米级电子器件精确建模的经验伪软件