机译:GaAs异质结双极晶体管的全直接低频噪声表征
Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione, Universita di Modena e Reggio Emilia, and INFM, Via Vignolese 905, Modena, Italy;
noise; characterization; HBT; cross-spectrum;
机译:噪声转折频率低于3 kHz的自对准AlGaAs-GaAs异质结双极晶体管的低频噪声特性
机译:噪声转折频率低于1 kHz的AlGaAs / GaAs异质结双极晶体管的1 / f噪声特性
机译:GaAs / AlGaAs异质结双极晶体管中的传输和噪声。二。低频噪声和增益
机译:GaAs衬底上变质InP / InGaAs异质结双极晶体管的低频噪声表征
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:1.09μmGaAsBi激光二极管的低频噪声研究
机译:使用跨阻放大器测量SiGe异质结双极晶体管中的低频基极和集电极电流噪声和相干性
机译:alGaas / Gaas异质结双极晶体管的噪声源和特性评估。