机译:使用漂移扩散方程模拟InSb器件
Department of Electrical and Computer Engineering, Portland State University, Portland, OR, USA;
InSb; photodiodes; auger recombination; drift-diffusion simulation;
机译:半导体器件漂移扩散方程的经典解:二维情况
机译:薄氧化物器件的漂移-扩散/量子传输边界耦合方法模拟,特别应用于基于硅的隧道开关二极管
机译:通过漂移扩散模拟研究InSb MOSFET的定标
机译:InSb器件的漂移扩散模拟
机译:使用漂移扩散方程模拟锑化铟装置。
机译:使用紧密结合的π键模型校准的Dirac方程对石墨烯纳米带器件的量子输运模拟
机译:半导体漂移扩散方程的经典解 设备:2d案例