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机译:TCE浓度对SiC热生长SiO_2的氧化物电荷和界面性质的影响
Department of Electrical and Electronic Engineering, The University of Hong Kong, Hong Kong;
silicon carbide; TCE oxidation; interface-state density; flat-band voltage; oxide-charge density;
机译:4H-SiC(0001)上热生长SiO_2的界面性质与能带取向的关系
机译:热生长SiO_2 / 4H-SiC(0001)界面的同步X射线光电子能谱研究及其与电性能的关系
机译:通过在氧化膜沉积之前通过热生长的薄SiO_2薄膜改善SiO_2 / SiC界面的作用
机译:在湿的O_2和N_2O环境中进行后氧化退火对p沟道MOS器件热生长的SiO_2 / 4H-SiC界面的影响
机译:离子束溅射生长的Si / SiC薄膜超晶格的热电性能
机译:具有独特光学性能出色的热稳定性和柔韧性的纳米机械性能的超长SiC纳米线的合成与表征
机译:氮化和退火对热氧化siO2 / siC金属氧化物半导体体系界面性能的影响
机译:热历史对热生长二氧化硅,siO2超薄膜应力相关特性的影响