机译:4H-SiC高压肖特基二极管结终止扩展(JTE)的设计和优化
Department of Electrical Engineering and Center for Solid State Electronics Research, Arizona State University, Tempe, AZ 85287-5706, USA;
4H-SiC; schottky diodes; junction termination extension; simulation; high-voltage termination; edge termination;
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机译:台面与JTE端接相结合的高压4H-SiC PiN二极管的设计,制造和表征
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机译:高压(> 10 kV)4H-SiC MPS二极管的设计,制造和表征
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