机译:硅上高K氧化物的界面和缺陷
Engineering Department, Cambridge University, Trumpington St, Cambridge CB2 1PZ, UK;
high-K oxide; interface; defects; electronic properties;
机译:金属氧化物半导体(MOS)结构中高k过渡金属与稀土电介质和界面天然氧化物之间的内部界面处的缺陷和缺陷松弛
机译:硅/高k氧化物界面的界面氧化物生长:Si-HfO_2界面的第一原理建模
机译:通过电检测磁共振研究高k氧化物/ Si(100)界面的点缺陷
机译:硅高钾钆和钕氧化物的界面和散装性能
机译:高k /硅和高k /砷化镓栅极结构中的缺陷和键合结构。
机译:具有高k铪氧化物电介质的硅纳米线用于敏感检测小核酸低聚物
机译:硅/高k氧化物界面的界面氧化物生长:Si–HfO sub 2界面的第一原理建模
机译:硅/二氧化硅界面附近的EsR中心和电荷缺陷。