机译:InAlAs / InGaAs / InAlAs双异质结构高电子迁移率晶体管(DH-HEMT)的分析非线性电荷控制模型
Semiconductor Device Research Laboratory, Department of Electronic Science, University of Delhi South Campus, New Delhi 110 021, India;
InAlAs/InGaAs/InAlAs heterojuction; InP based HEMT; dual-channel; sheet carrier density; transconductance; drain current; cut-off frequency;
机译:50 nm InGaAs / InAlAs / GaAs变质高电子迁移率晶体管在50 kV电子束光刻技术下使用两次曝光而无需电介质支撑
机译:使用Inalas / InGaas高电子迁移率晶体管的光控振荡器
机译:用于低温应用的纳米InAlAs / InGaAs异质结构中散射有限电子传输的新型分析模型
机译:带氧化InAlAs栅极的InAlAs / InGaAs高电子迁移率晶体管的分析模型和测量
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:倒置型Inalas / INAS高电子 - 移动晶体管具有液相氧化INALAS作为栅极绝缘体
机译:调制掺杂Inalas / InGaas / Inalas和alGaas / InGaas / alGaas异质结构中的电子传输