机译:MOSFET表面电势的扩展解析近似
Department of Electrical Engineering, The Pennsylvania State University, University Park, PA 16802, USA;
MOSFET; surface potential; lateral field gradient;
机译:考虑量子力学效应的n沟道MOSFET表面电势的解析近似
机译:MOSFET表面电位的分析近似
机译:多晶硅耗尽层对MOSFET表面电位的扰动的解析近似
机译:无结双栅极MOSFET表面电位的逐步耗尽近似建模
机译:用于提升表面的超音速非稳态空气动力学的新的加速势方法,非平面超音速双重点方法的进一步扩展以及用于超音速,瞬态响应非稳态空气动力学的非线性,非梯度优化有理函数逼近。
机译:蛋白质可及表面积的分析近似
机译:双栅MOSFET的表面电势近似数值鲁棒性的改进
机译:具有恒定电位的曲面间静电双层相互作用的Derjaguin近似精度