机译:氢选择性预处理的AlGaAs / InGaAs p-HEMT及其在增强/耗尽模式HEMT中的应用
Department of Information and Communications, Gwangju Institute of Science and Technology (GIST), 1 Oryong-dong, Buk-gu, Gwangju 500 712, Republic of Korea;
selective hydrogen pretreatment; E/D-HEMT; shallow traps; gate leakage current;
机译:MBE在(311)A和(111)A GaAs衬底上通过MBE生长的AlGaAs / InGaAs / GaAs P-HEMTs结构中2DEG密度的增强
机译:通过选择性离子注入制备的增强和耗尽模式AlGaAs-In / sub 0.15 / Ga / sub 0.85 / As HEMT
机译:使用选择性湿式栅极凹陷的增强/耗尽型GaAs / InGaAs / AlGaAs伪非晶MODFET的工艺
机译:用于高效,低压便携式应用的AlGaAs / InGaAs功率P-HEMT
机译:用于III族氮化物混合信号和RF应用的增强/耗尽模式HEMT技术。
机译:用于MRI线圈的耗尽型GaN HEMT Q扰流开关
机译:同步加速器X射线形貌分析工艺步骤对AlGaAs / InGaAs p-HEMT的制造的影响
机译:单片二维表面发射应变层InGaas / alGaas和alInGaas / alGaas二极管激光器阵列,具有超过50%的差分量子效率