机译:ICP-CVD生长的Ni / SiC肖特基二极管的特性
Department of Electrical Engineering, Myongji University, 38-2 Nam-Dong, Yongin, Gyeonggi-do 449-728, South Korea;
silicon carbide (SiC); inductively coupled plasma; chemical vapor deposition; schottky barrier height; breakdown voltage;
机译:通过升华生长的He〜+辐照的基于4H-SiC外延层的Ni肖特基二极管的特性
机译:热退火的伽马辐照Ni / 4H-SiC肖特基势垒二极管特性
机译:高能质子辐照对Au / Ni / 4H-SiC肖特基势垒二极管电学特性的影响
机译:生长堆垛机故障对4H-SIC肖特基屏障二极管反向电流 - 电压特性的影响
机译:SiC上的肖特基势垒二极管的设计与制造。
机译:基于Ni / 4H-SiC肖特基二极管的400°C传感器可在工业环境中进行可靠的温度监控
机译:高能电子辐照对肖特基势垒高度和Ni / 4H-siC肖特基二极管的Richardson常数的影响
机译:碳化硅(siC)肖特基二极管和siC金属氧化物半导体的脉冲电容测量