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机译:使用环绕式NiSi-HDD触点最小化MuGFET源/漏电阻
IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Heverlee, Belgium;
fin field-effect transistors (FinFETs); fully depleted; series resistance; source/drain (S/D); heavily doped S/D region (HDD); silicon-on-insulator (SOI) MOSFET; nickel-mono-silicide;
机译:具有碲离子注入和隔离的硅碳源/漏和铂基硅化物触点可降低应变n-FinFET的接触电阻
机译:用于减小极小尺寸MOSFET的源极/漏极触点的几何设计的计算研究,以降低其寄生电阻
机译:底部接触型OTFT中喷墨印刷的银源漏电极的接触电阻
机译:通过在外延凸起的源极/漏极区域上集成NiSi触点,将MuGFET接触电阻最小化
机译:低电阻率的锗硅化物接触层形成了用于纳米级CMOS的磷掺杂的硅锗合金源/漏结。
机译:高性能矩形栅极U沟道FET的源极和漏极触点之间只有2nm的距离
机译:具有高al浓度和si-Hp 111衬底的alGaN / GaN HEmT的低源极/漏极接触电阻
机译:电流流入源/漏区接触电阻的三维建模