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机译:SiGe异质结双极晶体管中的低频噪声对非本征区的尺寸和结构特征的依赖性
University of Texas at Arlington, Electrical Engineering Department, 500 South Cooper St, NanoFab Building, P.O. Box 19072, Arlington, TX 76019, USA;
HBT; heterojunction bipolar junction transistor; 1/f noise; noise modeling; low-frequency noise;
机译:用于毫米波至太赫兹应用的SiGe:C异质结双极晶体管中DC和低频噪声的色散研究
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