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机译:准确,分析和技术映射的阈值表面电势定义以及MOSFET阈值电压的新假设
Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology, Kanpur 208016, UP, India;
MOSFET; strong inversion; threshold voltage;
机译:使用兰伯特W函数及其阈值电压定义,精确地分析沟道表面电势作为未掺杂MOSFET中栅极电压的显式函数
机译:具有源极/漏极横向高斯掺杂分布的栅极下叠式DG MOSFET的电势分布和阈值电压的分析模型
机译:具有垂直高斯掺杂分布的短沟道薄型全耗尽绝缘体上硅MOSFET的电势和阈值电压的解析模型
机译:具有高k栅极氧化物的纳米级全耗尽应变SOI MOSFET的分析表面电势和阈值电压模型
机译:45 nm栅极长度n-MOSFET陷阱引起的阈值电压波动仿真的比较分析和分析模型预测。
机译:HfO2 / Al2O3超晶格在透明ITO /玻璃基板上阈值开关装置的阈值电压调节研究
机译:使用3D泊松方程的解析解的全耗尽窄通道SOI MOSFET的表面电势和阈值电压模型
机译:50 nm外延通道mOsFET中的随机掺杂阈值电压波动:3D'原子'模拟研究