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机译:用于p-MOS晶体管应力工程的[110]单轴应变硅中空穴质量的计算
Institut de Microelectronique, Electromagnetisme et Photonique, UMR no. 5130 (CNRS/INPG/UJF), 23 avenue des Martyrs, BP 257, 38016 Grenoble Cedex 1, France;
stress; p-MOSFET; valence band; hole mobility; effective mass; strained silicon;
机译:高Ge含量应变SiGe(110)P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中的单轴应力效应和空穴迁移率
机译:分析应力工程晶体管的应变硅选项
机译:$(hbox {110})/ langlehbox {110} rangle $单轴应变SiGe FINFET的相关闪烁噪声和空穴迁移率特性
机译:单轴应变(110)和(111)硅通道中PMOS反转层的价子带结构和空穴有效质量
机译:将电子热注入单轴应变硅中。
机译:促进相干应变110取向的空穴迁移率Ge–Si核–壳纳米线
机译:单轴应变硅中铟迁移的ab-Initio计算