机译:用于超薄栅极氧化物MOSFET的改进衬底电流模型
Microelectronics Institute, Xidian University, Xi'an 710071, China;
substrate current model; maximum electric field; characteristic ionization length; ultra-deep submicron;
机译:通过MOSFET和H-MOSFET中的超薄氧化物和氧化物/氮化物叠层计算直接隧穿栅极电流
机译:采用超薄氮化栅氧化物的MOSFET栅极漏电流降低模型
机译:超薄栅极氧化物n-MOSFET中用于栅极电流计算的器件仿真器之间的比较
机译:超薄栅极氧化物n-MOSFET中衬底电流对软击穿的统计分析
机译:紧凑的栅极电容和栅极电流建模,可用于超薄(EOT〜1 nm及以下)二氧化硅和高kappa栅极电介质。
机译:通过线粒体调控的AMPK激活导致糖尿病模型中底物氧化增加和代谢参数改善。
机译:超薄独立双栅极MOSFET弹道亚阈值电流的紧凑模型
机译:多晶硅栅极对具有薄栅氧化层的亚100nm mOsFET中随机掺杂诱导阈值电压波动的影响