机译:硅纳米晶体存储器中电荷动力学的粒度描述
Institut de Microelectronique, Electromagnetisme et Photonique (IMEP), UMR CNRS-INPG-UJF 5130, 23 rue des Martyrs, 38016 Grenoble, France;
silicon nanocrystals; non-volatile single-electron memory; charge dynamics; modeling;
机译:LPCVD硅纳米晶体MOS存储器结构中的充电/放电动力学
机译:具有硅纳米晶体作为非易失性存储器件电荷捕获层的氮化硅的存储特性
机译:高性能SONOS闪存,具有嵌入在氮化硅电荷捕获层中的原位硅纳米晶体
机译:氮化硅层中嵌入硅纳米晶体的电荷陷阱存储器的仿真
机译:基于物理的硅纳米晶非易失性闪存单元充电动力学建模
机译:硅纳米晶体:阳离子胶体纳米晶体具有胶体稳定性pH无关的正表面电荷和尺寸可调的近红外至红色光谱范围内的光致发光(Adv。Sci。2/2016)
机译:使用纳米晶体电荷限制的可穿戴多路复用硅非易失性存储器阵列