机译:直接溅射法制备高κ介电薄膜的电学特性
Department of Electronics and Telecommunication Engineering, Jadavpur University, Kolkata 700 032, West Bengal, India;
hafnium oxide; charge trapping; reliability;
机译:使用远程和直接等离子体原子层沉积方法生长的HfO_2栅极电介质的组成,结构和电特性
机译:射频磁控溅射制备ZrO2和YSZ高k栅介电薄膜的物理和电学性质
机译:直流磁控溅射法生长AlN薄膜的介电特性
机译:高κHfON / SiO
机译:RF溅射法制备Si / Ingan异质结太阳能电池:改进氮化铟镓(IngaN)薄膜的电气和光学性能
机译:用于a-IGZO薄膜晶体管的高κEr2O3和Er2TiO5栅极电介质的结构和电气特性
机译:掺入氧量对反应磁控溅射生长高κHfO2 / Hf / Si薄膜的光学,结构和介电性能的影响