机译:在Ta_2O_5高k介电薄膜上形成功函数可调的Mo栅电极
Department of Electronic Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, 43 Kee-Lung Road, 106 Taipei, Taiwan;
机译:栅电极功函数对Ta_2O_5 /聚合物为栅绝缘体的有机薄膜晶体管磁滞特性的影响
机译:绝缘体上硅基衬底上集成高k阻挡电介质和高功函数栅电极的纳米级多栅极TiN金属纳米晶体存储器
机译:具有高k阻挡电介质和高功函数栅电极的Trigate TiN纳米晶体存储器
机译:硅高k栅极电介质Ta_2O_5薄膜的应力诱导降解
机译:了解具有高k栅极介电常数的固溶处理金属氧化物薄膜晶体管的迁移率。
机译:在硅晶片上合成的用于栅极电介质应用的新型高k碳氢化合物薄膜的原子力显微镜数据
机译:非晶态氧化镧L薄膜替代高k材料:高k栅极电介质的物理和技术5