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机译:磁阻技术提高短沟道超薄体双栅MOSFET迁移率的实验证据
机译:超薄沟道双栅极Si MOSFET的电子迁移率和磁传输研究
机译:开发用于模拟超薄单栅极和双栅极SOI MOSFET的分析迁移率模型
机译:物理紧凑的直流漏极电流模型,用于具有独立栅极操作的长沟道非掺杂超薄体(UTB)SOI和不对称双栅极(DG)MOSFET
机译:短通道超薄体双栅MOSFET中移动增强的实验证据
机译:超薄氧化ha门控MOSFET的迁移率和驱动性能。
机译:基于声子散射机理的超薄体FD SOI MOSFET导热特性研究
机译:超薄通道的电子迁移率和磁传输研究 双栅si mOsFET