机译:4H-SiC耗尽型MOSFET中积累层和体层电子迁移率的直流表征
School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Nanyang Avenue, Singapore 639798, Singapore;
MOS transistors; silicon carbide; depletion mode; mobility;
机译:具有大密度界面状态的MOS反转层中载波散射的建模及4H-SIC MOSFET中的电子霍尔迁移率模拟
机译:n型和p型MOSFET的累积层中有效电子和空穴迁移率的温度依赖性表征
机译:完全耗尽的绝缘体MOSFET中的反转层电子迁移率分布
机译:4H-SiC MOSFET的反型和累积层电子迁移率
机译:在绝缘体纳米MOSFET上使用单层栅极完全耗尽的硅进行分子感测。
机译:具有多个外延层的150–200 V分离栅沟道功率MOSFET
机译:通过混合栅极凹槽与虚拟通道层的AlGaAs / IngaAs增强/耗尽/耗尽模型高电子迁移率晶体管的比较研究方法 - = sup = - * - = / sup = -