机译:InAlAs / InGaAs / InAsP复合通道HEMT的栅极长度定标研究
Department of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State University, Columbus, OH 43210, USA;
InP; InAsP; high electron mobility transistors; composite channel;
机译:超短栅长InGaAs / InAlAs HEMT中截止频率的上限:有效栅长的新定义
机译:通道中温度和铟成分对单门和双门InAlAs / InGaAs HEMT微波性能的影响
机译:具有新颖的复合通道设计的GaAs衬底上的变质InAlAs / InGaAs HEMT
机译:研究InAlAs / InGaAs / InP HEMT的击穿动力学,栅极长度缩小至80 nm
机译:g蛋白偶联受体和配体门控离子通道的化学规模研究。
机译:InGaAs / InAlAs SAGCM雪崩光电二极管的理论研究
机译:纳米载体/ Ingaas DG-HEMT中增强栅极控制的量子建模,用于毫米波应用