机译:导航有助于寻找未来的高k电介质:物理和电气趋势
Chalmers University of Technology, Department of Microtechnology and Nanoscience, SE-412 96 Goeteborg, Sweden;
high-k dielectrics; dielectric constant; CMOS; rare earth oxides;
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机译:硅上高k Ta2O5基MOS电容器的电和介电特性的物理建模
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机译:独立外部评价关于“无线电导航飞行校准的当前和未来趋势”的学术讨论会(摘要编号:079)
机译:基于future的多金属高k栅极电介质的电气和材料特性,可用于未来的规模化CMOS技术:物理,可靠性和工艺开发。
机译:通过后退火实现具有高k Al2O3栅极电介质的溶胶-凝胶IGZO晶体管的电气性能的改善
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