机译:尺寸对隧穿FET性能的影响:批量与一维器件
IBM Research GmbH, Zurich Research Laboratory, 8803 Rueschlikon, Switzerland;
tunneling FET; band-to-band tunneling; subthreshold swing; one-dimensional device;
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机译:一维器件结构中依赖于势垒的电子隧穿寿命
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机译:优化隧道FET性能 - 器件结构的影响,晶体管尺寸和材料选择
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