机译:硅基纳米器件中的声子散射
Departamento de Electronica y Tecnologia de Computadores, Universidad de Granada, 18071 Granada, Spain;
electron mobility; confined phonons; ultra-thin silicon layers; SOI; monte carlo;
机译:天然装饰的位错能够增强Si基热电复合材料中的多声子散射
机译:欧洲材料研究协会(EMRS)硅基纳米材料和纳米器件中的传输和光子学研讨会-2月5日至9月13日
机译:平面晶体缺陷和伪表面声子产生的声子散射的特殊性(薄缺陷层产生的横向声子的共振散射)
机译:Si和Ge中的电子声子散射:从体到纳米器件
机译:一,拉曼散射和X射线衍射研究对砷化镓-砷化铝超晶格中局限的LO和折叠的LA声子的退火作用。二。皮秒光散射研究砷化镓/铝(x)镓(1-x)砷化物多量子阱结构中的弛豫和隧穿
机译:声子-缺陷相互作用的温度依赖性:声子散射与声子俘获
机译:四色素散射的作用强于三位声子散射在室温下III-V半导体的热导率散射
机译:薄4He薄膜中phonon-phonon,phonon-Roton和Roton-Roton散射的导热系数和粘度