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机译:具有高k栅极电介质的对称双栅极MOSFET的新分析阈值电压模型
Department of Electronic Engineering, Southern Taiwan University of Technology, No. 1 Nan-tai Street, Tainan 710, Taiwan, ROC;
threshold voltage; fringing-induced barrier lowering; symmetrical double-gate MOSFET; characteristic length;
机译:未掺杂对称双栅极MOSFET的二维分析阈值电压和亚阈值摆幅模型
机译:HfO_2 / SiO_2栅介质堆叠的双栅MOSFET中随机离散陷阱引起的阈值电压波动的解析模型
机译:用于确定22 nm节点双栅极SOI MOSFET中足够的高k电介质的栅极隧穿泄漏的分析模型
机译:具有对称和非对称门的长沟道双栅极MOSFET阈值电压的量子力学分析建模
机译:用于低压集成电路应用的双栅CMOS设计和分析,包括绝缘体上硅MOSFET的物理建模。
机译:具有高k La2O3 / ZrO2栅极电介质的肖特基势垒SOI-MOSFET
机译:具有高k栅极电介质的GeOI / GeON MOSFET的二维分析阈值电压模型