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机译:前栅极分裂CV方法在超薄SOI-MOSFET中的前沟道和后沟道迁移率
IMEP, Minatec - INPG, 3 Parvis Louis Neel, BP 257, 38016 Grenoble Cedex 1, France;
SOI-MOSFETs; mobility; thin gate oxide; split CV; ultrathin SOI;
机译:用前栅极分裂电容-电压法比较绝缘体上超薄金属氧化物半导体场效应晶体管的前,后通道迁移率
机译:UTBOX SOI nMOSFET中前/后通道LF噪声的变化
机译:单晶体管闩锁引起的前沟道和后沟道薄膜SOI晶体管的退化
机译:Si上的高空穴迁移率前栅InAs / InGaSb-OI单结构CMOS
机译:将超薄(1.6-2.0 nm)RPECVD堆叠的氧化物/氮氧化物栅极电介质集成到双多晶硅栅极亚微米CMOSFET中。
机译:基于裂环谐振器和线栅混合超颖表面的超薄太赫兹四分之一波片
机译:接口和边界陷阱对IngaAs MOSFET中电流电压,电容 - 电压和分裂 - CV移动性测量的影响
机译:分体式心轴与分体式套筒冷加工:延长金属结构疲劳寿命的双重方法