机译:标准应变硅绝缘子Nfinfets的模拟性能
Department of Electrical Engineering, Centra Universitario da FEI, Av. Humberto de Alencar Castelo Branco, 3972, 09850-901 Sao Bernardo do Campo, Brazil;
finfet; analog operation; triple-gate; intrinsic gain; early voltage; biaxial strain;
机译:标准和单轴应变三栅极SOI FinFET在X射线辐射下的模拟性能
机译:高性能缩放绝缘子上应变硅,无掺杂,高kappa $ /金属栅极nFinFET,适用于高性能逻辑应用
机译:在标准和应变绝缘体上硅衬底中处理的n和p沟道鳍式场效应晶体管的噪声谱中的线性扭结洛伦兹效应
机译:鳍宽和沟道长度对采用标准应变三栅极nFinFET实施的缓冲器性能的影响
机译:使用印刷电阻器与标准制造的电阻器比较心电图模拟前端的性能。
机译:高性能金刚石三栅场效应晶体管的设计与制造
机译:用标准和紧张三栅极NFInfet实现的源跟随缓冲区的性能
机译:静态测量驱动流体(空气和水)和尺寸对标准气动流体性能的影响 - 实验结果,10(5)次扩大的双稳态和模拟装置的复制品