机译:十纳米Mosfets中的运输建模的蒙特卡洛方法
ARCES-DEIS, University of Bologna - IU.NET, Via Venezia 52, 47023 Cesena, Itafy;
机译:基于多子带蒙特卡洛方法的纳米级pMOSFET准弹道空穴传输的半经典建模
机译:使用Monte-Carlo模拟器为2D电子气建模薄膜SOI MOSFET中的均匀传输
机译:使用完全自洽的威格纳蒙特卡洛方法研究路终点DG-MOSFET中的量子输运
机译:蒙特卡罗方法在十纳米MOSFET中进行传输建模
机译:量子校正的全频带半经典蒙特卡洛模拟研究,用于硅,应力硅和硅锗MOSFET中的电荷传输。
机译:并发蒙特卡洛输运和通过注量调整可扩展输运量的通量优化
机译:纳米级mOsFET的monte Carlo传输模型比较