机译:冲击应变工程对门叠质量和可靠性的影响
IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium;
silicon-on-lnsulator (SOI); fully depleted SOI MOSFETs; low-frequency noise; strain engineering; low-field mobility; contact etch stop layer (CESL); strained SOI (sSOI);
机译:带有TaN栅电极的高质量超薄CVD HfO {sub} 2栅堆叠的TDDB和极性相关的可靠性
机译:氮化物/氧化物堆叠栅电介质中的缓冲氧化物层对器件性能和电介质可靠性的影响
机译:双材料双层栅堆叠SON MOSFET:增强模拟性能的新型架构—第二部分:栅介电材料工程的影响
机译:应变工程是否会影响栅极堆栈质量和可靠性?
机译:栅极堆叠和通道工程:金属栅极和锗通道器件的研究。
机译:图像质量对二维超声心动图测量左心室收缩功能和总纵向应变的可靠性的影响
机译:(邀请的)金属栅/高κ介质栅极堆叠可靠性;或者我如何学会与氧化物一起生活
机译:预测维也纳9号机组的排放对空气质量的影响