机译:短通道对称掺杂双栅MOSFET的紧凑模型
Section de Electrdnica del Estado Solido, Departamento de lngenieria Electrica, CINVESTAV, D.F., Mexico;
compact modeling; doped double-gate MOSFET; double-gate current modeling; short channel effects;
机译:对称双栅极MOSFET的紧凑模型,包括载流子限制和短沟道效应
机译:二维模型对轻掺杂对称双栅MOSFET的短沟道静电的量子效应
机译:短沟道双栅MOSFET的对称统一紧凑模型
机译:使用对称掺杂的双栅极模型对带有双栅极渐变通道MOSFET的OTA进行仿真
机译:双栅极MOSFET的紧凑模型。
机译:首要原理的砷和锑双栅极MOSFET的性能
机译:对称双栅MOSFET的紧凑模型,包括载流子限制和短沟道效应
机译:建模用于VLsI的短沟道mosfet