机译:栅极双极测试结构中辐射诱导的界面陷阱对基极电流的影响
Arizona State University, Tempe, AZ, United States;
bipolar junction transistors; ionizing radiation; fermi level; interface traps; surface recombination velocity;
机译:辐射诱导的氧化物俘获电荷的快速开关偏置退火及其在MOS结构中辐射效应测试中的应用
机译:双极电压脉冲感应电流-一种可靠地提取超薄氧化物MOS结构中界面陷阱分布的方法
机译:双极电压脉冲诱导电流 - 用于可靠地提取超薄氧化物MOS结构中界面捕集分布的装置
机译:界面电荷(Q
机译:MOS结构中辐射诱导的界面陷阱的时变演化。
机译:在存在随机界面陷阱的情况下16nm栅极高κ/金属栅极体FinFET器件的电特性波动
机译:使用替代电流基于绝缘电泳的绝缘结构特性和布置效应的数值研究
机译:在双极器件的发射极 - 基极/氧化物界面处增强的低速辐射诱导电荷俘获