机译:关于双轴应变Si MOSFET中电子迁移率的提高
DIEGM, University of Udine, IU.net, Via delle Scienze 208, 33100 Udine, Italy;
strained silicon; mobility enhancement; characterization and modeling; temperature dependence; surface roughness;
机译:双轴拉伸应变Si MOSFET中电子和空穴的表面粗糙度散射限制的迁移率
机译:用于双轴应变Si-MOSFET的SPICE兼容分析电子迁移率模型
机译:在双轴应变n-MOSFET上实现高电子迁移率的单轴应力的优化
机译:对单轴应力结合双轴应力Si,双轴紧张SiGe和GE通道MOSFET的检查迁移性增强
机译:拉伸硅:单轴和双轴应变产生过程,以及绝缘体上硅MOSFET的迁移率提高。
机译:通过外部单轴应力提高迁移率的SOI上的应变锗量子阱PMOSFET
机译:应变Si-SiGe掩埋沟道耗尽型n-MOSFET中的平均漂移迁移率和表观电子密度分布