机译:单轴应变p-MOSFET的漏极电流改进:多子带Monte Carlo研究
DIEGM and IU.NET. University of Udine, Via delle Scienze 208, 33100 Udine, Italy;
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机译:用于中性铟在单轴和双轴应变硅中扩散的动力学Monte Carlo模拟的参数提取的从头算研究
机译:具有冷凝硅锗源极/漏极的应变薄型p-MOSFET,可增强驱动电流性能
机译:使用3D多子带集成Monte Carlo模拟对Si纳米线FET进行全面研究
机译:单轴应变p-MOSFET的漏极电流改进:多子带Monte Carlo研究
机译:通过蒙特卡洛模拟,单轴应变对聚合物复合材料中纤维渗透阈值的影响。
机译:多子带蒙特卡洛研究在亚10纳米Si纳米线FET中散射机制对载流子传输的优势
机译:单轴应变p-MOSFET的阈值电压和漏极电流建模
机译:应变si(1-x)Ge(x)中空穴传输的monte Carlo模拟