机译:短通道Mos装置的背向散射系数和漂移扩散迁移率提取
IMEP-LAHC, Minatec-INPC, 3 Parvis Louis Neel, BP 257, 38016 Grenoble, France;
机译:建模硅器件中施加的应力和晶圆取向的影响:从长通道迁移率物理到短通道性能
机译:准弹道运输的实验研究:第二部分:后向散射系数的提取和与机动性的联系
机译:通过精确的外部电阻分解和固有迁移率提取来了解短沟道迁移率的下降
机译:短沟道MOS器件饱和状态下的磁阻迁移率提取
机译:在长到短通道MOSFET的应变效应:从漂移扩散到准弹道运输
机译:具有SnO沟道层的聚合物铁电场效应存储器件具有记录空穴迁移率
机译:高电子迁移率晶体管短通道分析模型获得更高的截止频率保持器件的可靠性