机译:在Nqs区域中对Mqsfets中的通道热噪声和感应门噪声的短通道效应建模
William Hansen Hall Department of Electrical and Computer Engineering, University of Louisiana, 131 Rex Street, Lafayette, LA 70504-3890, USA;
MOSFET; non-quasi-static; channel thermal noise; induced-gate noise; mobility degradation; carrier heating; elemental analysis; (5/9)L_(eff);
机译:在MOS场效应晶体管中模拟通道热噪声和感应栅极噪声中的非准静态效应
机译:短通道MOSFET的完整高频热噪声建模和5.2GHz低噪声放大器的设计
机译:伯克利短通道绝缘栅场效应晶体管模型4中多余通道热噪声系数的准确提取
机译:90nm混合信号/ RF CMOS技术中NQS效应和热噪声的预测紧凑模型
机译:编码中的问题(欧洲编码,几何,无噪声通道,有限状态噪声)
机译:面向低电压低能耗的超薄绝缘体上硅MOSFET低频噪声行为的经验和理论模型
机译:完成短沟道mOsFET的高频热噪声建模和5.2 GHz低噪声放大器的设计
机译:相位噪声和热噪声对相干psK解调的影响及其对II期DsCs端子相位噪声规范的影响