机译:硅纳米晶体浮栅器件中的瞬态充电电流测量和建模
Laboratoire de Physique de la Matiere, CNRS/INSA de Lyon, 7 Avenue Jean Capelle, 69621 Villeurbanne Cedex, France;
silicon; nanocrystals; transient current; charging; flash memory;
机译:基于石墨纳米晶体作为电荷俘获元素和高k Ta2O5作为受控栅介质的高性能有机纳米浮栅存储器件
机译:通过直接和浮栅技术测量从非易失性浮动薄隧道氧化物存储器件中的超低水平陷阱辅助泄漏电流提取的缺陷的空间和能量分布
机译:通过硅纳米晶体浮栅的单电子充电来操纵超大规模存储器中的周期性库仑阻塞振荡
机译:量子闪存中基于硅纳米晶的浮栅的充电模型
机译:浮栅纳米晶体FET器件和电路的建模和仿真。
机译:硅纳米晶体:阳离子胶体纳米晶体具有胶体稳定性pH无关的正表面电荷和尺寸可调的近红外至红色光谱范围内的光致发光(Adv。Sci。2/2016)
机译:嵌入二氧化硅中的锗纳米晶体用于浮栅存储器件