机译:Ge耗尽型带间隧道晶体管:建模和结形成
Department of Electrical Engineering, University of Notre Dame, 275 Fitzpatrick Hall, Notre Dame, IN 46556-5637, USA;
interband tunnel transistor; low subthreshold swing; ge tunnel junction; rapid melt growth;
机译:具有多个带间隧道结的表面隧道晶体管
机译:双极隧穿场效应晶体管中谐振带间隧穿的自洽模型
机译:带间隧穿和沟道传输的双材料栅隧穿场效应晶体管的紧凑解析模型
机译:用于间带隧道晶体管的GE隧道连接的快速熔化生长
机译:使用Angelov模型在PSpice中对碳化硅(SIC)垂直结场效应晶体管(VJFET)进行紧凑建模,并使用SIC VJFET模型对PSpice模拟电路构建模块进行仿真。
机译:三核苷酸移码缺失的DNA模型:在引物-模板连接处形成环和凸起
机译:双材料栅极隧穿场效应的紧致分析模型 使用带间隧道和信道传输的晶体管