机译:大块Mosfet的表面势方程
Ira A Fulton School of Engineering, Electrical Engineering. Arizona State University, Tempe, AZ 85281, USA;
surface potential; compact model; mosfet;
机译:固有的纳米级环绕栅MOSFET的解析但连续的表面电势与电压方程式以及从累积到强反转区域的解决方案
机译:有界固体空间中的二阶势方程-体波和表面波
机译:包含多晶栅累积,耗尽和反型效应的Bulk-MOSFET5的显式表面电势模型
机译:对于未掺杂对称双栅极MOSFET的累积与强反转区域的表面电位与电压方程
机译:批量累积和反转MOSFET进行缩放机会,用于千兆类集成
机译:组织建模和重塑的控制方程式:表面和体积平衡的统一广义描述
机译:具有不同表面和沟道方向的散装,超薄体SOI和双栅极N-MOSFET的低场移动模型 - I:基本原则
机译:根据表面吸附理论的细胞静息电位方程,是关联 - 诱导假设的推论。