机译:长通道对称DG MOSFET的统一大,小信号非准静态模型
Nanoscale Device Research Laboratory, Centre for Electronics Design and Technology, Indian Institute of Science, Bangalore 560 012, India;
rnIntel Corporation, Wllsboro, USA;
rnNanoscale Device Research Laboratory, Centre for Electronics Design and Technology, Indian Institute of Science, Bangalore 560 012, India;
non-quasi-static (NQS); double gate (DC); urge signal; small signal; compact modeling;
机译:长通道无结对称DG MOSFET的建模和设计空间
机译:短沟道三材料对称栅堆叠(DGGS)的沟道电势和阈值电压的二维分析模型
机译:短通道对称双栅极(DG)MOSFET的依赖于掺杂的亚阈值电流模型
机译:用于对称DG MOSFET的统一充电模型,适用于掺杂的身体和未掺杂的通道
机译:精确的基于RTA的非准静态紧凑型MOSFET模型,用于RF和混合信号仿真。
机译:具有位置载流子散射相关性的准弹道漏电流电荷和电容模型对纳米级对称DG MOSFET有效
机译:长通道对称DG mOsFET的非准静态小信号模型