机译:包含3D效应的短通道SOI多栅极FET的分析电流方程
Center for Nanoelectronics and Photonics University of Applied Sciences Giessen-Friedberg, D-35390 Ciessen, Germany;
rnCenter for Nanoelectronics and Photonics University of Applied Sciences Giessen-Friedberg, D-35390 Ciessen, Germany;
rnCenter for Nanoelectronics and Photonics University of Applied Sciences Giessen-Friedberg, D-35390 Ciessen, Germany;
MOSFET; compact model; multigate; three dimensional; FinFET; triple-gate; short channel; drain-current model; transconductance;
机译:多栅极FinFET器件的分析建模和仿真以及高k电介质对短沟道效应(SCE)的影响
机译:包括短沟道效应和浮体效应的超薄SOI MOSFET的分析阈值电压模型
机译:MFIS负电容FET中短信效应的分析模型,包括量子监禁效应
机译:包括浮体效应的超薄SOI MOSFET的分析型短沟道效应模型
机译:双栅极MOSFET中短沟道效应的分析模型。
机译:使用3D泊松方程的解析解的全耗尽窄通道SOI MOSFET的表面电势和阈值电压模型
机译:全耗尽sOI(绝缘体上硅)mOsFET的短沟道效应