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A new analytical high frequency noise parameter model for AlGaN/GaN HEMT

机译:AlGaN / GaN HEMT的新型分析高频噪声参数模型

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摘要

In this paper, we propose a simple analytical high frequency noise model for AlGaN/GaN HEMT including the effect of gate leakage current. Based on the DC and CV model proposed by our group recently, the expression for drain thermal noise current is derived using the impedance field method (1FM). Using the steady-state Nyquist theorem for multiterminal devices [1], the induced-gate noise is also calculated simply and explicitly. Also, from the comparison between various measured noise results and our simulation results, the validity of our model is clearly verified.
机译:在本文中,我们提出了一个简单的分析AlGaN / GaN HEMT的高频噪声模型,其中包括栅漏电流的影响。基于我们小组最近提出的DC和CV模型,使用阻抗场方法(1FM)导出了漏极热噪声电流的表达式。使用多端子设备的稳态奈奎斯特定理[1],还可以简单,明确地计算出感应门噪声。此外,通过比较各种测得的噪声结果和我们的仿真结果,可以清楚地验证我们模型的有效性。

著录项

  • 来源
    《Solid-State Electronics》 |2010年第11期|p.1300-1303|共4页
  • 作者

    Xiaoxu Cheng; Yan Wang;

  • 作者单位

    Institute of Microelectronics of Tsinghua University, Beijing 100084. PR China;

    rnInstitute of Microelectronics of Tsinghua University, Beijing 100084. PR China;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    AlGaN/GaN HEMT; noise model; steady-state Nyquist theorem; IFM;

    机译:AlGaN / GaN HEMT;噪声模型稳态奈奎斯特定理;IFM;
  • 入库时间 2022-08-18 01:34:59

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