机译:AlGaN / GaN HEMT的新型分析高频噪声参数模型
Institute of Microelectronics of Tsinghua University, Beijing 100084. PR China;
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AlGaN/GaN HEMT; noise model; steady-state Nyquist theorem; IFM;
机译:Algan / GaN Hemts的高频噪声模型
机译:随机电报噪声和低频噪声特性,AlGaN / GaN HEMT的漏极电流瞬态稳定性的漏极电流瞬态稳定性分析
机译:高电阻率Si衬底上GaN HEMT中包括温度效应在内的高频噪声的解析模型
机译:Algan / GaN Hemts温度依赖微波噪声的分析模型
机译:使用基于AlGaN / GaN的HEMT器件的人MIG分析和实验生物传感器。
机译:AlGaN / GaN HEMT大信号建模中的IV扭结效应研究
机译:栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由低频噪声和脉冲电测量证明,栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由脉冲I-V和低频噪声测量证明