机译:纳米晶体闪存的保留模型:蒙特卡洛方法
Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology, Kanpur 208016, India;
rnUniversity of Texas at Austin, 10100 Burnet Road, Austin, Texas 78758, USA;
rnFreescale Semiconductor, Inc., 3501 Ed. Bluestein Blvd., Austin, Texas 78721, USA;
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rnUniversity of Texas at Austin, 10100 Burnet Road, Austin, Texas 78758, USA;
nanocrystal; memory; silicon; Monte Carlo; traps;
机译:NAND闪存中阈值电压分布的建模:蒙特卡洛方法
机译:纳米尺度相变存储器中的固有数据保留—第一部分:结晶和渗滤的蒙特卡洛模型
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机译:波浪分组相位空间蒙特卡罗对量子装置建模的方法
机译:液压压裂:利用蒙特卡罗模拟技术的工艺设计基于新的不确定性建模方法
机译:基于POM分子的闪存中保留时间的动力学蒙特卡罗研究