机译:包含量子效应的方形GAA MOSFET的分析模型
Dpto. de Electrdnica y Tecnologia de los Computadores, Facultad de Ciencias, Universidad de Granada, 18071 Granada, Spain;
rnDpto. de Electrdnica y Tecnologia de los Computadores, Facultad de Ciencias, Universidad de Granada, 18071 Granada, Spain;
rnDpto. de Electrdnica y Tecnologia de los Computadores, Facultad de Ciencias, Universidad de Granada, 18071 Granada, Spain;
rnDpro. de Matematica Aplicada, Facultad de Ciencias, Universidad de Granada, 18071 Granada, Spain;
rnDpto. De Electrdnica y Tecnologia de los Computadores, Facultad de Ciencias, Universidad de Granada, 18071 Granada, Spain;
rnDpto. De Electrdnica y Tecnologia de los Computadores, Facultad de Ciencias, Universidad de Granada, 18071 Granada, Spain;
gate-all-around MOSFET; quantum mechanical effects; inversion charge modeling; inversion charge centroid; charge confinement; gate-to-channel capacitance;
机译:包括热载流子退化效应在内的全栅(GAA)MOSFET的显式连续分析模型
机译:包含量子效应的纳米级三栅极SOI MOSFET的新分析模型
机译:包含量子力学效应的纳米级应变Si / Si_(1-x)Ge_x MOSFET的二维分析阈值电压模型
机译:损坏的全栅(GAA)MOSFET的分析漏电流模型,包括量子和速度过冲效应
机译:在纳米级增强模式三栅极III-V MOSFET中建模量子和库仑效应
机译:变质InAs / InGaAs / GaAs量子点异质结构光电压中的双极效应:光敏器件的表征和设计解决方案
机译:包含量子力学效应的纳米级应变Si / Si1-xGex MOSFET的二维分析阈值电压模型
机译:应变InGaas / alGaas量子阱的理论增益,包括价带混合效应