机译:SiC SGTO在脉冲功率应用中的优势和当前进展
Army Research Laboratory, 2800 Powder Mill Rd., Adelphi, MD 20783, USA;
Army Research Laboratory, 2800 Powder Mill Rd., Adelphi, MD 20783, USA;
Army Research Laboratory, 2800 Powder Mill Rd., Adelphi, MD 20783, USA;
Army Research Laboratory, 2800 Powder Mill Rd., Adelphi, MD 20783, USA;
Berkeley Research Associates, 6557 Mid Cities Avenue, Beltsville, MD 20705, USA;
Cree Inc., 4600 Silicon Drive, Durham, JVC 27703, USA;
Cree Inc., 4600 Silicon Drive, Durham, JVC 27703, USA;
Cree Inc., 4600 Silicon Drive, Durham, JVC 27703, USA;
Silicon Power Corporation, 958 Main Street, Clifton Park, NY 12065, USA;
SiC GTOs; pulsed power; carrier lifetime; basal plane dislocation; micropipe;
机译:用于脉冲电源的大功率实验性SiC SGTO器件的评估
机译:美国/俄罗斯在使用高爆炸脉冲功率的高能密度物理学中的合作:超高电流实验,超高磁场应用以及向受控热核聚变的进展
机译:电力应用SiC半导体器件的最新进展和当前问题
机译:SiC SGTO在脉冲功率应用中的优势和当前进展
机译:基于数值模拟的脉冲功率应用4H-SiC光电导开关的评估。
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机译:用于脉冲功率应用的si,Gaas,siC和GaN FET型开关的比较*
机译:用于陆军脉冲功率应用的10kV,80ka si sGTO开关元件的评估