机译:使用开尔文技术的绝缘体上硅层中的电子磁阻迁移率
School of Electrical, Electronic and Computer Engineering, The University of Western Australia, Crawley, WA 6009, Australia;
rnSchool of Electrical, Electronic and Computer Engineering, The University of Western Australia, Crawley, WA 6009, Australia;
rnSchool of Electrical, Electronic and Computer Engineering, The University of Western Australia, Crawley, WA 6009, Australia;
rnSOITEC S.A. Parc Technologique des Fontaines, 38190 Bemin, France;
rnIMEP-INP Grenoble-MINATEC, BP257, 38016 Grenoble Cedex 1, France;
SOI; magnetoresistance; electron mobility;
机译:纳米级绝缘体上硅扩散层的电子迁移率增强,其中高掺杂浓度大于1 x 1018 cm“ 3,且绝缘体上硅厚度小于10 nm
机译:具有(111)表面的超薄绝缘体上硅层和具有(001)表面的超薄绝缘体上锗的声子限制电子迁移行为和固有迁移率降低机理
机译:4.2 K下绝缘体上超薄硅层中的电子迁移率
机译:开尔文技术在绝缘层上硅中的电子磁阻迁移率
机译:将各向异性磁阻技术应用于带有分散钉扎的交换偏置双层上。
机译:高迁移率GaAs / AlGaAs 2D电子系统中可调谐电子加热引起的巨磁阻
机译:通过开尔文探针力显微镜研究,随着分子层的增加,有机超薄膜晶体管的载流子迁移率增加
机译:确定超晶格器件中跨平面迁移率的磁电阻技术