机译:在深非平衡状态下工作的FD SOI MOSFET的动态体电势变化:模型和应用
University of Cambridge, Engineering Department, 9 JJ Thomson Avenue, Cambridge CB3 0FA, United Kingdom;
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IT-DRAM; SOI MOSFETs; transient; body potential; model; 1T-DRAM; band-to-band (B2B) tunneling; dynamic gate coupling;
机译:基于表面和体电位统一区域建模的部分/动态/完全耗尽的DG / SOI MOSFET的浮体效应
机译:具有有效势和三维蒙特卡洛的超小型FD-SOI MOSFET中的量子效应建模
机译:累积模式下超薄栅氧化物FD-SOI MOSFET的体电势分析
机译:具有超薄主体的轻掺杂FD SOI MOSFET的基于表面电势的紧凑模型
机译:用于低压低功率应用的非均匀掺杂深亚微米口袋MOSFET的设计和建模
机译:基于声子散射机理的超薄体FD SOI MOSFET导热特性研究
机译:对深亚微米FD-SOI MOSFET热噪声的自热响应