机译:CMOS技术中的可见光和NIR集成光电晶体管
Institute of Electrodynamics, Microwave and Circuit Engineering, Vienna University of Technology, Cusshausstr. 25/354, 1040 Vienna, Austria;
Institute of Electrodynamics, Microwave and Circuit Engineering, Vienna University of Technology, Cusshausstr. 25/354, 1040 Vienna, Austria;
Institute of Electrodynamics, Microwave and Circuit Engineering, Vienna University of Technology, Cusshausstr. 25/354, 1040 Vienna, Austria;
phototransistor; cmos; light detector; soc; oeic;
机译:基于CMOS读数集成的纳米级光电晶体管的高度敏感的SWIR探测器阵列
机译:CMOS光电集成电路的光电晶体管
机译:具有集成光电晶体管阵列的CMOS光电锁定放大器
机译:采用标准SiGe BiCMOS技术的新型高性能集成光电晶体管光电探测器(PTPD)
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:具有NIR传感n型和可见光传感p型聚合物的纳米结构体异质结层的宽带全聚合物光电晶体管
机译:具有NIR感应n型和可见光感应p型聚合物的纳米结构体积异质结层的宽带全聚合物光电晶体管