机译:高压结型势垒肖特基(JBS)二极管设计的二维完全分析模型
Rutgers University, Department of Electrical and Computer Engineering, 94 Brett Road, Piscataway, NJ 08854, USA;
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JBS; SiC; Analytical model; Schottky; Tunneling; Diode; Power device; MPS;
机译:高压4H-SiC结型势垒肖特基(JBS)整流器的解析模型
机译:4H-SiC浮动结肖特基势垒二极管的导通电阻和击穿电压的分析模型
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机译:高压SiC功率器件的设计注意事项:10kV SiC结型势垒肖特基(JBS)二极管的通道收缩实验研究
机译:4H碳化硅中的单片集成功率JFET和结势垒肖特基二极管。
机译:基于P型伪垂直金刚石肖特基势垒二极管正向电流-电压特性的迁移模型
机译:高压SiC电源MOSFET中单事件烧坏的离子诱导能量脉冲机制及结屏障肖特基二极管