机译:Ba_xSr _(-x)TiO_3的铁电栅场效应晶体管金属-铁电绝缘体-半导体结构的电性能
Microfabrication Cleanroom, School of Microelectronic Engineering, University Malaysia Perlis (UniMAP). Kuala Perlis 02000, Malaysia;
Microfabrication Cleanroom, School of Microelectronic Engineering, University Malaysia Perlis (UniMAP). Kuala Perlis 02000, Malaysia;
bst thin films; mfis; c-v characteristics; memory window;
机译:使用聚偏二氟乙烯-三氟乙烯(P(VDF-TrFE))/ ZrO2 / Si结构的金属铁电绝缘体半导体场效应晶体管(MFIS-FET)的电性能
机译:使用Pt / Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)/ CeO_2 / Si结构的金属铁电绝缘体半导体场效应晶体管的结构和电性能
机译:总电离剂量辐照对铁电栅场效应晶体管电性能的影响
机译:使用Au /(bi,la){sub} 4ti {sub} 3o {sub} 12 / srta {sub} 2o {sub} 6 / si结构的铁电栅场 - 效应晶体管的结构和电性能
机译:场效应晶体管中碳纳米管和束的结构和电传输特性的相关性。
机译:基于MoS2纳米圆盘的背栅场效应晶体管的制备和电性能
机译:金属铁电绝缘体 - 半导体场效应晶体管(MFIS-FET)的电气性能使用聚偏二氟乙烯 - 三氟乙烯(P(VDF-TRFE))/ ZrO2 / Si结构
机译:温度和电子辐射对alGaN / GaN异质结构场效应晶体管电性能的影响